Micro LED凭借出色的性能表现和灵活的应用，迎来广阔的发展前途，巨头企业纷纷抢进和布局，由此加快促进Micro LED显示技术的应用落地。据TrendForce集邦咨询预估，Micro/Mini LED产值到2024年将达39亿美金。

  3月初，三安半导体与TCL华星宣共同成立联合实验室，以布局Micro LED显示技术开发。该实验室的研发资本金为3亿元，将开发Micro LED显示器端到端技术过程中所形成的与自有材料、工艺、设备、产线方案相关的技术。

  3月份，德国的沉积设备制造商爱思强（Aixtron SE）宣布，康佳集团已订购了多个AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系统，以建立自己的镓批量生产基于氮化物（GaN）和基于砷化磷（AsP）的Mini/Micro LED。

  另外，12月1日，华灿光电与Semicon Light签署倒装芯片专利技术授权协议。该技术被认为是Mini/Micro LED等新型显示器的关键技术。据报道，华灿正在计划为LG电子提供用于新型Micro LED显示产品的Micro LED芯片。

  5月份，首尔半导体称其在Micro LED领域已确定进入了商业化量产的阶段。通过旗下子公司Seoul Viosys已经能够批量生产全光色的RGB LED芯片。同时，首尔半导体已经成功地开发了巨量转移技术，能够将Micro LED成功的移转到PCB或是玻璃背板的任何背板上。

  6月份，苹果宣布计划投资约3.34亿美元在台湾地区竹科龙潭园区建设新厂，用于生产Mini/Micro LED显示面板。12月一手消息显示，苹果计划继续携手晶电龙潭厂朝Micro LED技术发展，近期龙潭厂不断移入设备和开设新产线，以提前部署后年应用。

  錼创计划筹建立第二条Micro LED生产线月份，台湾地区Micro LED开发商錼创宣布计划筹集5000万美元建立其第二条Micro LED生产线季度开始在新生产线中进行批量生产。这条新生产线将使该公司的Micro LED生产能力扩大2到3倍。

  8月12日，欧司朗和日本显示器制造商京瓷在Micro LED显示器领域共同设计了一种电流与PWM混合驱动的新技术。两家公司表示，能够正常的使用这种新的驱动方案来避开使用较低的像素电流通过Micro LED芯片，由此减少低灰度水平下的亮度偏差和颜色偏移。

  10月份，CREE与Valeo合作打造像素达到4000的ADB Micro LED车头灯，已确定进入测试阶段。目前问世的Micro LED像素阵列头灯产品，像素数量多在千位数，并且正逐渐朝万级发展。

  10月份，夏普剥离旗下的显示业务部门，并成立一家新的公司SDTC。剥离后成立的新公司SDTC，除了将接管夏普现在的LCD面板工厂以及OLED研发线，还将专注于Micro LED 技术研发。

  10月29日，利亚德与台湾晶元光电合资设立的利晶微电子郑重进入投产。据悉，目前利晶投产及产能规化处在第一阶段。第一期投放期为2020-2022年，预计2022年达产后产能将达到自发光模组1600kk/月，背光模组20000套/月。

  另外，12月4日，利亚德拟定增募集资金不超过15.18亿元投建Micro LED显示技术开发等项目。利亚德表示，该项目实施将解决Micro LED显示屏的核心技术问题，推动Micro LED显示技术发展和产业化。

  10月份，京东方在投资平台上表示，公司此前与美国公司Rohinni合资成立BOE Pixey，共同生产用于显示器背光源的Micro LED解决方案。目前，合资公司正在进行Mini LED/Micro LED转印环节的技术开发与生产，该技术能达到每秒50颗的转印速度。

  京东方看好Micro LED在小型可穿戴显示器和大型显示器市场中的应用。在专利布局方面，截至今年5月，京东方在Micro LED领域上已有200多项相关专利。

  11月16日，美国Micro LED解决方案供应商Compound Photonics（CP）宣布其Micro LED制造工厂启动。据介绍，该工厂可直接采用专业的制造设备和测量设备来助力Micro LED组装、接合、集成和试生产等先进制程的开发。

  在1月份的CES 2020上，TCL展出了其最新打造的132英寸4K Micro LED显示器。该显示器由2400万颗LED组成，由聚积科技提供48通道驱动IC。

  同时，TCL旗下子公司TCL VERY Lighting展出一款透明的RGB Micro LED显示器。屏幕尺寸仅48*48mm，LED芯片尺寸仅100*60μm。该款显示器与亿光电子合作，希望未来能导入车载的显示器作为信号指示用途。

  同样在CES 2020展上，韩国LED厂Lumens推出139英寸的4K Micro LED显示器，点间距约为P0.8mm，利用该模块制作成车载面板，可以呈现出高对比的显示效果。此外，Lumens还展出过一款0.57英寸的Micro LED显示器，尺寸仅10um，搭配CMOS背板驱动的单色Micro LED显示器，有蓝色和绿色两款。

  友达与錼创科技进行合作，双方在4月份推出了9.4寸高分辨率柔性Micro LED显示器，具备228 PPI像素密度，除适用于车载显示市场外，也可应用于可穿戴、消费等市场。

  今年7月份，雷曼光电正式对外发布Micro LED像素引擎显示技术，并宣布量产点间距为P0.79mm与P0.63mm的Micro LED超高清显示屏。

  在今年7月份的DIC展上，天马携手錼创科技推出一款7.56英寸AM Micro LED显示屏。该显示器分辨率为，透明度超过60%，超窄边框能带来更佳的视觉体验。

  9月份，LG推出首款163英寸4K Micro LED电视“LG MAGNIT”。该Micro LED电视基于COB技术，点间距为P0.9mm，屏幕由多个640×360的显示模块无缝拼接而成，面向市场为室内商业以及高端民用。

  另外，7月份，利亚德旗下全资子公司PLANAR发布了三款Micro LED电视，分别是216英寸8K产品、135英寸4K产品和110英寸产品。同年7月份，PLANAR联合国美正式发售135寸4K Micro LED电视，定价在17万元左右。

  今年10月份，群创在OPTO TAIWAN国际光电大展上首次发布一款24.6英寸的全彩AM Micro LED显示器。该显示器采用了四片12.3英寸的Micro LED显示器所拼接而成采用蓝光Micro LED加上量子点的光色转换方案。

  10月份，在TCL华星全球显示生态大会现场，TCL华星展示最新的4英寸IGZO Micro LED显示屏，目前仍为实验室产品。该产品由TCL华星与三安光电联合实验室开发的基于IGZO玻璃基的AM Micro LED显示屏，采用领先的uLED巨量转移技术，具备高亮度、高色域、高对比度等特点，还能轻松实现双面显示。

  11月30日，国星光电公布Micro LED技术研发的最新进展。在第一代Micro LED显示屏的基础上，国星已与面板厂合作开发出基于TFT玻璃背板的主动式驱动Micro LED全彩显示屏。近日，采用自主研发的巨量转移技术，已经初步实现250PPI以上红/绿/蓝单色转移键合点亮。

  12月10日，三星110英寸Micro LED电视在韩国正式开启预售，并将于2021年第一季度在全球发售。该款电视拥有99.99％的屏占比，定位大众消费市场，售价1.7亿韩元（约合102.6万元人民币）。

  另外，在今年的ISE展上，三星展示一款583英寸的8K企业级Micro LED显示器“The Wall”，新款取代了三星到目前为止提供的最大的437英寸面板。新款“The Wall”还具有219英寸和292英寸的4K版本。

  6月份，据报道，韩国研究者宣布开发出可折叠的氮化镓（GaN）Micro LED，并且可用剪刀剪切。研究者表示，由于Micro LED具有柔性，所以可附着在织物或皮肤等弯曲表面上，扩大了其应用的可能性。

  7月份，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。

  据了解，ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决大晶格失配和量子限制斯塔克效应等限制红色氮基LED在实际工业应用中的使用基本问题。

  10月份，台交大电子工程系洪瑞华特聘教授兼系主任和晶呈科技股份有限公司执行科技部产学计划，已成功在特殊的铜磁基板上开发Micro LED，具有超薄（仅50微米）免研磨且可使用化学蚀刻进行芯片分割。

  此技术将使得Micro LED芯片本身不再脆弱，并可使用磁性探针卡进行巨量微整预排列与巨量转移，一举突破传统的空气吸取芯片限制，有机会大幅度降低目前Micro LED显示器价的制作成本。

  11月1日，美国Micro LED技术开发商VerLASE宣布其Micro LED巨量转移技术获得了实质性的进展。

  VerLASE的Micro LED技术通过印章转移结构和能够准确抓取大量Micro LED的新型化学机制，将Micro LED芯片转移到所要求的衬底上，再以高精度和高速度进行分配和放置。

  11月份，从剑桥大学分拆的公司Porotech宣布推出全球首款商业化的用于Micro LED应用的原生红光LED外延。

  Porotech生产的工艺突破扩展了InGaN的发射范围，从而能够满足红光显示的性能需求，同时具有扩展Micro LED半导体显示技术所需的晶圆尺寸的能力。

  11月份，江风益院士团队公布了最新研制的高光效氮化铟镓基橙-红光LED结果。此项研究基于硅衬底氮化镓技术，可大幅缓解了红光量子阱中高In组分偏析问题。

  使用该技术可成功制备一系列高效的InGaN基橙-红光LED，光效相较于以往报道的相同波段InGaN基LED结果整体提高了约十倍。

  12月，法国3D GaN LED技术开发商Aledia宣布成功在12英寸（300mm）硅晶圆上生长出业界首款纳米线（nanowire）Micro LED芯片。利用硅基技术，能够在传统微电子工厂（硅晶圆代工厂）生产Micro LED，助力其实现大批量生产，良率达到极高水平。

  ：当前，5G+8K时代的到来为Micro LED技术发展注入了新动力。此外，疫情常态直接推动了线上教育、线上会议等线上产业的发展，某些特定的程度上加快了Micro LED在商业显示产品中的应用进程。2021年，Micro LED会有怎样的发展，我们拭目以待！Source：LEDinside

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